Codice costruttore

MOSFET Infineon, canale N 700 V, 190 mΩ Miglioramento, 13 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IPP65R190C7FKSA1

Codice RS:: 897-7591
Codice costruttore:: IPP65R190C7FKSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 700 V, 190 mΩ Miglioramento, 13 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IPP65R190C7FKSA1

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40 - 96	2,87 €	11,48 €
100 - 196	2,71 €	10,84 €
200 - 396	2,518 €	10,07 €
400 +	2,328 €	9,31 €

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Codice RS:: 897-7591
Codice costruttore:: IPP65R190C7FKSA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	13A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	700V
	Serie	CoolMOS C7
	Tipo di package	TO-220
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	190mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	900mV
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-30V, +30V
	Dissipazione di potenza massima Pd	72W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	23nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	No
	Larghezza	15.95mm
	Lunghezza	10.36mm
	Altezza	4.57mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 13A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 700V
	Serie CoolMOS C7
	Tipo di package TO-220
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 190mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 900mV
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -30V, +30V
	Dissipazione di potenza massima Pd 72W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 23nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni No
	Larghezza 15.95mm
	Lunghezza 10.36mm
	Altezza 4.57mm
	Standard automobilistico No

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