MOSFET Infineon, canale Tipo N 550 V, 190 mΩ Miglioramento, 18.5 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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Codice RS:
165-8158
Codice costruttore:
IPP50R190CEXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

18.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

550V

Serie

CoolMOS CE

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

190mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.85V

Dissipazione di potenza massima Pd

127W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

47.2nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.57 mm

Altezza

15.95mm

Lunghezza

10.36mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY

MOSFET di potenza CE Infineon CoolMOS™


Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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