MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 4 mΩ Miglioramento, 190 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante
- Codice RS:
- 145-9431
- Codice costruttore:
- IRF1404ZPBF
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,969 € | 48,45 € |
| 100 - 200 | 0,921 € | 46,05 € |
| 250 - 450 | 0,882 € | 44,10 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 145-9431
- Codice costruttore:
- IRF1404ZPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 190A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 100nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 220W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 10.54mm | |
| Larghezza | 4.69 mm | |
| Altezza | 8.77mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 190A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 100nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 220W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 10.54mm | ||
Larghezza 4.69 mm | ||
Altezza 8.77mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, 180A di corrente continua massima di drain, 40V di tensione massima di source drain - IRF1404ZPBF
Questo MOSFET è un componente di potenza ad alte prestazioni progettato per una varietà di applicazioni nei settori automobilistico e industriale. Con una robusta corrente di drain continua di 180A e una tensione massima drain-source di 40V, eccelle negli ambienti più difficili. Il tipo di confezione TO-220AB facilita il montaggio, garantendo un'integrazione efficiente nei circuiti e nei sistemi elettronici.
Caratteristiche e vantaggi
• Utilizza la tecnologia HEXFET per una maggiore efficienza
• Progettato per la modalità di potenziamento per ottimizzare la commutazione
• Fornisce una rapida velocità di commutazione per aumentare l'efficienza complessiva
• Capace di valanghe ripetitive per aumentare l'affidabilità
Applicazioni
• Ideale per l'utilizzo nei circuiti di controllo dei motori
• Utilizzato in alimentatori e convertitori
• Progettato per l'uso nel settore automobilistico
• Adatto a diversi sistemi di automazione industriale
• Efficace nella gestione dell'alimentazione e nella commutazione
In che modo la bassa resistenza all'accensione è vantaggiosa per le mie applicazioni?
La bassa resistenza di accensione di 2,7 mΩ riduce le perdite di conduzione, migliorando l'efficienza complessiva nei sistemi di conversione di potenza e di gestione dell'energia.
Cosa succede se il dispositivo supera la temperatura massima di funzionamento?
Il superamento della temperatura massima di esercizio di +175°C può portare a un degrado delle prestazioni e a potenziali guasti, sottolineando la necessità di un'adeguata gestione termica.
Può essere utilizzato in configurazioni parallele?
Sì, quando si utilizzano configurazioni in parallelo, è fondamentale bilanciare la condivisione della corrente tra i dispositivi per evitare il surriscaldamento e massimizzare le prestazioni.
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