MOSFET Infineon, canale Tipo N 700 V, 190 mΩ, 12 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IPP65R190CFD7XKSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
236-3668
Codice costruttore:
IPP65R190CFD7XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Tipo di package

TO-220

Serie

CoolMOS

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

190mΩ

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23nC

Dissipazione di potenza massima Pd

63W

Tensione diretta Vf

1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

10.36mm

Altezza

9.45mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a super giunzione Infineon CoolMOS con diodo integrato a corpo rapido è la scelta perfetta per topologie risonanti ad alta potenza. È la soluzione ideale per le applicazioni industriali, come server, telecomunicazioni, impianti solari e stazioni di ricarica EV, in cui consente miglioramenti significativi dell'efficienza rispetto alla concorrenza. Ha una corrente di drain di 12 A.

Eccellente robustezza di commutazione rigida

Ulteriore margine di sicurezza per i progetti con maggiore tensione bus

Maggiore densità di potenza

Eccezionale efficienza con carichi leggeri in applicazioni SMPS industriali

Migliore efficienza a pieno carico in applicazioni SMPS industriali

Competitività dei prezzi rispetto alle offerte alternative sul mercato

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