MOSFET Infineon, canale Tipo N 700 V, 190 mΩ, 12 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IPP65R190CFD7XKSA1

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 tubo da 500 unità*

458,50 €

(IVA esclusa)

559,50 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In uscita dal catalogo
  • 1000 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per Tubo*
500 +0,917 €458,50 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
236-3667
Codice costruttore:
IPP65R190CFD7XKSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Serie

CoolMOS

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

190mΩ

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23nC

Tensione diretta Vf

1V

Dissipazione di potenza massima Pd

63W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

9.45mm

Lunghezza

10.36mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a super giunzione Infineon CoolMOS con diodo integrato a corpo rapido è la scelta perfetta per topologie risonanti ad alta potenza. È la soluzione ideale per le applicazioni industriali, come server, telecomunicazioni, impianti solari e stazioni di ricarica EV, in cui consente miglioramenti significativi dell'efficienza rispetto alla concorrenza. Ha una corrente di drain di 12 A.

Eccellente robustezza di commutazione rigida

Ulteriore margine di sicurezza per i progetti con maggiore tensione bus

Maggiore densità di potenza

Eccezionale efficienza con carichi leggeri in applicazioni SMPS industriali

Migliore efficienza a pieno carico in applicazioni SMPS industriali

Competitività dei prezzi rispetto alle offerte alternative sul mercato

Link consigliati