MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V, 160 mΩ Miglioramento, 22 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante STW28N60DM2

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Codice RS:
111-6480
Codice costruttore:
STW28N60DM2
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

22A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

MDmesh DM2

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

160mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25V

Tensione diretta Vf

1.6V

Dissipazione di potenza massima Pd

190W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

39nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

20.15mm

Larghezza

5.15mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

15.75mm

Standard automobilistico

No

MDmesh serie DM2 a canale N, STMicroelectronics


I MOSFET MDmesh DM2 offrono una bassa resistenza RDS(on) e, con il tempo di recupero inverso migliorato per garantire la massima efficienza, questa serie è ottimizzata per topologie ZVS full-bridge a sfasamento.

Elevata capacità dV/dt per una maggiore affidabilità del sistema

Qualifica AEC-Q101

Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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