Codice costruttore

MOSFET STMicroelectronics, canale N 650 V, 160 mΩ Miglioramento, 22 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante

Codice RS:: 168-5897
Codice costruttore:: STW28N60DM2
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N 650 V, 160 mΩ Miglioramento, 22 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante

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Unità	Per unità	Per Tubo*
30 - 120	2,633 €	78,99 €
150 - 270	2,567 €	77,01 €
300 +	2,496 €	74,88 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 168-5897
Codice costruttore:: STW28N60DM2
Costruttore:: STMicroelectronics

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	STMicroelectronics
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	22A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	650V
	Serie	MDmesh DM2
	Tipo di package	TO-247
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	160mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	190W
	Tensione diretta Vf	1.6V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	39nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-25V, +25V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	15.75mm
	Altezza	20.15mm
	Standard/Approvazioni	No
	Larghezza	5.15mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio STMicroelectronics
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 22A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V
	Serie MDmesh DM2
	Tipo di package TO-247
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 160mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 190W
	Tensione diretta Vf 1.6V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 39nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -25V, +25V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 15.75mm
	Altezza 20.15mm
	Standard/Approvazioni No
	Larghezza 5.15mm
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: CN

MDmesh serie DM2 a canale N, STMicroelectronics

I MOSFET MDmesh DM2 offrono una bassa resistenza RDS(on) e, con il tempo di recupero inverso migliorato per garantire la massima efficienza, questa serie è ottimizzata per topologie ZVS full-bridge a sfasamento.

Elevata capacità dV/dt per una maggiore affidabilità del sistema

Qualifica AEC-Q101

Transistor MOSFET, STMicroelectronics

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