MOSFET DiodesZetex, canale N, 65 mΩ, 4,9 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 122-0606
Codice costruttore:: ZXMN2F30FHTA
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 65 mΩ, 4,9 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,118 €

(IVA esclusa)

0,144 €

(IVA inclusa)

17650 Disponibile per la consegna entro 3 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,118 €	354,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 122-0606
Codice costruttore:: ZXMN2F30FHTA
Costruttore:: DiodesZetex

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	4,9 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	65 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.5V
Dissipazione di potenza massima	1,4 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Larghezza	1.4mm
Lunghezza	3.04mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	4,8 nC @ 4,5 V
Altezza	1.12mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET DiodesZetex, canale N, 65 mΩ, 4,9 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

MOSFET a canale N, da 12 V a 28 V, Diodes Inc

Link consigliati