MOSFET DiodesZetex, canale N, 65 mΩ, 4,9 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 708-2535
Codice costruttore:: ZXMN2F30FHTA
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 65 mΩ, 4,9 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 708-2535
Codice costruttore:: ZXMN2F30FHTA
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET N-ch 4.9A 20V SOT23
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	4,9 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	65 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.5V
Dissipazione di potenza massima	1,4 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Carica gate tipica @ Vgs	4,8 nC @ 4,5 V
Larghezza	1.4mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	3.04mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Altezza	1.12mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET DiodesZetex, canale N, 65 mΩ, 4,9 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, da 12 V a 28 V, Diodes Inc

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