MOSFET DiodesZetex, canale N, 30 mΩ, 8,7 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 122-1508
Codice costruttore:: DMN3018SSD-13
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 30 mΩ, 8,7 A, SOIC, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)**

0,162 €

(IVA esclusa)

0,198 €

(IVA inclusa)

Verifica stock non disponibile - chiama per informazioni

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Unità	Per unità	Per bobina**
2500 +	0,162 €	405,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 122-1508
Codice costruttore:: DMN3018SSD-13
Costruttore:: DiodesZetex

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	8,7 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	30 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.1V
Dissipazione di potenza massima	1,5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	4.95mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	13,2 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	3.95mm
Altezza	1.5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET DiodesZetex, canale N, 30 mΩ, 8,7 A, SOIC, Montaggio superficiale

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

MOSFET a canale N, 30 V, Diodes Inc

Link consigliati