MOSFET DiodesZetex, canale N, 20 mΩ, 8 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-8895
Codice costruttore:: DMN4800LSSL-13
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 20 mΩ, 8 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 165-8895
Codice costruttore:: DMN4800LSSL-13
Costruttore:: DiodesZetex

N-Channel Enhancement Mode Mosfet Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	8 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	20 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.6V
Dissipazione di potenza massima	1,46 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	4.95mm
Carica gate tipica @ Vgs	8,7 nC a 5 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	3.95mm
Altezza	1.5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET DiodesZetex, canale N, 20 mΩ, 8 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, 30 V, Diodes Inc

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