MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 30 V, 20 mΩ Miglioramento, 8 A, 8 Pin, SOIC, Superficie

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Codice RS:
165-8895
Codice costruttore:
DMN4800LSSL-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

DMN

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

20mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

1.46W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.7nC

Tensione diretta Vf

0.94V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.5mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

4.95mm

Larghezza

3.95 mm

Standard automobilistico

AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

Paese di origine:
CN

MOSFET a canale N, 30 V, Diodes Inc


Transistor MOSFET, Diodes Inc.


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