MOSFET onsemi, canale P, 26 mΩ, 47 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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Codice RS:
124-1716
Codice costruttore:
FQB47P06TM-AM002
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

47 A

Tensione massima drain source

60 V

Tipo di package

D2PAK (TO-263)

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

26 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

3,75 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-25 V, +25 V

Larghezza

9.65mm

Lunghezza

10.67mm

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

Si

Massima temperatura operativa

+175 °C

Carica gate tipica @ Vgs

84 nC a 10 V

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

4.83mm

Paese di origine:
CN

Modalità di miglioramento MOSFET a canale P, on Semiconductor


La gamma di MOSFET a canale P di Semiconductors viene prodotta utilizzando la tecnologia DMOS proprietaria ON Semi ad alta densità di celle. Questo processo ad altissima densità è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza allo stato di accensione per fornire prestazioni robuste e affidabili per una commutazione veloce.

Caratteristiche e vantaggi:


• Interruttore piccolo segnale P-Channel a tensione controllata

• Progettazione celle ad alta densità

• Corrente di saturazione elevata

• Commutazione superiore

• Prestazioni robuste e affidabili

• Tecnologia DMOS

Applicazioni:


• Commutazione del carico

• Convertitore DC/DC

• Protezione della batteria

• Controllo della gestione dell'alimentazione

• Comando motore DC

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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