MOSFET onsemi, canale P, 11 mΩ, 100 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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Codice RS:
124-5430
Codice costruttore:
SMP3003-DL-1E
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

100 A

Tensione massima drain source

75 V

Tipo di package

D2PAK (TO-263)

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

11 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

2.6V

Dissipazione di potenza massima

90 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Carica gate tipica @ Vgs

280 nC a 10 V

Lunghezza

10mm

Materiale del transistor

Si

Larghezza

9.2mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Numero di elementi per chip

1

Altezza

4.5mm

Paese di origine:
KR

MOSFET a canale P da 30 V a 500 V, ON Semiconductor



Transistor MOSFET, ON Semiconductor

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