MOSFET Vishay, canale P, 500 mΩ, 11 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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Codice RS:
178-0863
Codice costruttore:
IRF9640SPBF
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

11 A

Tensione massima drain source

200 V

Tipo di package

D2PAK (TO-263)

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

500 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

3 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Numero di elementi per chip

1

Larghezza

9.65mm

Carica gate tipica @ Vgs

44 nC a 10 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Materiale del transistor

Si

Lunghezza

10.41mm

Altezza

4.83mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

MOSFET canale P, da 100V a 400V, Vishay Semiconductor



Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor

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