MOSFET Infineon, canale N, 2 mΩ, 350 A, TO247AC, Su foro

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Codice RS:
124-9016
Codice costruttore:
IRFP4368PBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

350 A

Tensione massima drain source

75 V

Tipo di package

TO247AC

Serie

HEXFET

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

2 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4V

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

520 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Larghezza

5.31mm

Numero di elementi per chip

1

Carica gate tipica @ Vgs

380 nC a 10 V

Lunghezza

15.87mm

Materiale del transistor

Si

Massima temperatura operativa

+175 °C

Altezza

20.7mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Paese di origine:
MX

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