Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	23 A
Tensione massima drain source	500 V
Tipo di package	TO247AC
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	235 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	370 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Lunghezza	15.87mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	5.31mm
Carica gate tipica @ Vgs	150 nC @ 10 V
Altezza	20.7mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	23 A
Tensione massima drain source	500 V
Tipo di package	TO247AC
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	235 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	370 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Lunghezza	15.87mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	5.31mm
Carica gate tipica @ Vgs	150 nC @ 10 V
Altezza	20.7mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale N, 235 mΩ, 23 A, TO247AC, Su foro

Link consigliati