MOSFET Vishay, canale N, 150 mΩ, 30 A, TO247AC, Su foro

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Codice RS:
165-7104
Codice costruttore:
SIHG32N50D-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

30 A

Tensione massima drain source

500 V

Tipo di package

TO247AC

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

150 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

3V

Dissipazione di potenza massima

390 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

Si

Lunghezza

15.87mm

Larghezza

5.31mm

Carica gate tipica @ Vgs

64 nC a 10 V

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

20.82mm

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, 500 V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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