MOSFET Infineon, canale N, 69 mΩ, 38 A, TO247AC, Su foro

Visualizza MOSFET
Non disponibile
RS non distribuirà più questo prodotto.
Codice RS:
124-9051
Codice costruttore:
IRFP4137PBF
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

38 A

Tensione massima drain source

300 V

Tipo di package

TO247AC

Serie

HEXFET

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

69 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

5V

Tensione di soglia gate minima

3V

Dissipazione di potenza massima

341 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Massima temperatura operativa

+175 °C

Carica gate tipica @ Vgs

83 nC a 10 V

Materiale del transistor

Si

Lunghezza

15.87mm

Larghezza

5.31mm

Numero di elementi per chip

1

Altezza

20.7mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Paese di origine:
MX

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 38 A, dissipazione di potenza massima di 341 W - IRFP4137PBF


Questo MOSFET a canale N è progettato per applicazioni ad alta potenza, in grado di gestire correnti di drenaggio continue fino a 38A e di sopportare una tensione massima drain-source di 300V. La sua configurazione in modalità enhancement offre efficienza e prestazioni migliori nei circuiti elettronici, rendendolo un componente chiave per vari usi industriali. Il MOSFET è robusto e garantisce un funzionamento affidabile anche in condizioni difficili.

Caratteristiche e vantaggi


• Il raddrizzamento sincrono ad alta efficienza contribuisce al risparmio energetico
• Il miglioramento della robustezza di gate, valanghe e dinamiche aumenta la durata
• Il basso valore di Rds(on) riduce al minimo la perdita di potenza durante il funzionamento
• Le prestazioni termiche resistono a temperature fino a +175°C

Applicazioni


• Utilizzato per il raddrizzamento sincrono negli alimentatori a commutazione
• Adatto per progetti di circuiti a commutazione dura e ad alta frequenza
• Impiegato nei sistemi di continuità per una maggiore affidabilità

Qual è la tensione massima del gate-source consentita per un funzionamento sicuro?


Il dispositivo è in grado di gestire in modo sicuro una tensione massima gate-source di ±20V, garantendo la compatibilità in diverse applicazioni.

Come si può raffreddare efficacemente questo dispositivo in applicazioni ad alta potenza?


Un raffreddamento efficace può essere ottenuto applicando un dissipatore di calore adeguato e garantendo un flusso d'aria appropriato per mantenere le temperature di giunzione entro 175°C durante il funzionamento.

Che tipo di configurazioni di circuito può supportare questo MOSFET?


È adatto a configurazioni a singolo transistor, consentendo l'integrazione in diversi progetti di circuiti con un'elevata efficienza.

Cosa succede alle prestazioni a temperature più elevate?


A temperature elevate, il valore nominale della corrente di drenaggio continua diminuisce

a 100°C, è valutato per 27A rispetto a 38A a 25°C.


Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Link consigliati