MOSFET Vishay, canale N, 235 mΩ, 23 A, TO247AC, Su foro

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
708-4800
Codice costruttore:
IRFP23N50LPBF
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

23 A

Tensione massima drain source

500 V

Tipo di package

TO247AC

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

235 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

3V

Dissipazione di potenza massima

370 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Lunghezza

15.87mm

Carica gate tipica @ Vgs

150 nC @ 10 V

Larghezza

5.31mm

Numero di elementi per chip

1

Massima temperatura operativa

+150 °C

Materiale del transistor

Si

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

20.7mm

MOSFET canale N, 500 V, Vishay Semiconductor



Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor

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