MOSFET onsemi, canale N, 2,5 Ω, 260 mA, SOT-23, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 124-9944
- Codice costruttore:
- 2N7002ET
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 124-9944
- Codice costruttore:
- 2N7002ET
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | N | |
| Corrente massima continuativa di drain | 260 mA | |
| Tensione massima drain source | 60 V | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima drain source | 2,5 Ω | |
| Modalità del canale | Enhancement | |
| Tensione di soglia gate massima | 2.5V | |
| Dissipazione di potenza massima | 300 mW | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima gate source | -20 V, +20 V | |
| Numero di elementi per chip | 1 | |
| Larghezza | 1.3mm | |
| Materiale del transistor | Si | |
| Carica gate tipica @ Vgs | 0,81 nC a 5 V | |
| Lunghezza | 2.9mm | |
| Massima temperatura operativa | +150 °C | |
| Altezza | 0.94mm | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale N | ||
Corrente massima continuativa di drain 260 mA | ||
Tensione massima drain source 60 V | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima drain source 2,5 Ω | ||
Modalità del canale Enhancement | ||
Tensione di soglia gate massima 2.5V | ||
Dissipazione di potenza massima 300 mW | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima gate source -20 V, +20 V | ||
Numero di elementi per chip 1 | ||
Larghezza 1.3mm | ||
Materiale del transistor Si | ||
Carica gate tipica @ Vgs 0,81 nC a 5 V | ||
Lunghezza 2.9mm | ||
Massima temperatura operativa +150 °C | ||
Altezza 0.94mm | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
- Paese di origine:
- CZ
MOSFET di potenza a canale N, 60V, ON Semiconductor
Transistor MOSFET, ON Semiconductor
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