2 MOSFET di potenza onsemi Tipo isolato, canale Tipo N, 2.5 Ω, 300 mA 60 V, SC-88, Superficie Miglioramento, 6 Pin
- Codice RS:
- 178-7611
- Codice costruttore:
- NTJD5121NT1G
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
159,00 €
(IVA esclusa)
195,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
- 27.000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,053 € | 159,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 178-7611
- Codice costruttore:
- NTJD5121NT1G
- Costruttore:
- onsemi
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 300mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | SC-88 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2.5Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 0.9nC | |
| Tensione diretta Vf | 0.8V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 266mW | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | 150°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | -55°C | |
| Configurazione transistor | Tipo isolato | |
| Altezza | 1mm | |
| Larghezza | 1.35 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 2.2mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 300mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package SC-88 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2.5Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 0.9nC | ||
Tensione diretta Vf 0.8V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 266mW | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Minima temperatura operativa 150°C | ||
Temperatura massima di funzionamento -55°C | ||
Configurazione transistor Tipo isolato | ||
Altezza 1mm | ||
Larghezza 1.35 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 2.2mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET a canale doppio N, ON Semiconductor
Transistor MOSFET, ON Semiconductor
Link consigliati
- MOSFET onsemi 2 300 mA Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 2 250 mA Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi P5 Ω 250 mA SOT-363, Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 13 115 mA Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon 4 Ω SOT-363, Montaggio superficiale
- MOSFET Toshiba 1 300 mA Montaggio superficiale
- MOSFET Nexperia 2 Ω SOT-363, Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi P9 Ω 220 mA SOT-363, Montaggio superficiale
