2 MOSFET di potenza onsemi Tipo isolato, canale Tipo N, 2.5 Ω, 300 mA 60 V, SC-88, Superficie Miglioramento, 6 Pin

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

159,00 €

(IVA esclusa)

195,00 €

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Codice RS:
178-7611
Codice costruttore:
NTJD5121NT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

300mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SC-88

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.5Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.9nC

Tensione diretta Vf

0.8V

Dissipazione di potenza massima Pd

266mW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

150°C

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Altezza

1mm

Larghezza

1.35 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

2.2mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET a canale doppio N, ON Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semiconductor


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