2 MOSFET Infineon Tipo isolato, canale Tipo N, 600 mΩ, 950 mA 20 V, SC-88, Superficie Miglioramento, 6 Pin

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Codice RS:
165-5872
Codice costruttore:
BSD235NH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

950mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

OptiMOS 2

Tipo di package

SC-88

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

600mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

500mW

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.32nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.9V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Lunghezza

2mm

Altezza

0.8mm

Larghezza

1.25 mm

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN

Famiglia di MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™2


La famiglia a canale N OptiMOS™2 di Infineon offre la più bassa resistenza in stato attivo del settore all'interno del proprio gruppo di tensione. La serie di MOSFET di potenza può essere utilizzata in molte applicazioni, tra cui le telecomunicazioni, la trasmissione dati ad alta frequenza, solare, unità a bassa tensione e alimentatori server. La famiglia di prodotti OptiMOS 2 parte da 20 V e offre una selezione di diversi tipi di contenitori.

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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