2 MOSFET Infineon Tipo isolato, canale N, 600 mΩ, 950 mA 20 V, SC-88, Superficie Miglioramento, 6 Pin BSD235NH6327XTSA1
- Codice RS:
- 165-5872
- Codice costruttore:
- BSD235NH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 165-5872
- Codice costruttore:
- BSD235NH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 950mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Tipo di package | SC-88 | |
| Serie | OptiMOS 2 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 600mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -12V, +12V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 500mW | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 0.32nC | |
| Tensione diretta Vf | 900mV | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Tipo isolato | |
| Altezza | 800μm | |
| Larghezza | 1.25mm | |
| Lunghezza | 2mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 950mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Tipo di package SC-88 | ||
Serie OptiMOS 2 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 600mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -12V, +12V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 500mW | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 0.32nC | ||
Tensione diretta Vf 900mV | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Tipo isolato | ||
Altezza 800μm | ||
Larghezza 1.25mm | ||
Lunghezza 2mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET Infineon OptiMOS serie 2, tensione massima della sorgente di drenaggio 20 V, resistenza massima della sorgente di drenaggio 600 mΩ - BSD235NH6327XTSA1
Questo MOSFET è un transistor compatto a canale N a montaggio superficiale progettato per attività di commutazione e gestione dell'alimentazione in ambienti automobilistici e industriali. Funziona come un dispositivo in modalità di potenziamento con una configurazione a transistor isolato ed è progettato per applicazioni che richiedono una commutazione a bassa carica di gate e una resistenza termica a temperature elevate.
Caratteristiche e vantaggi:
• La tensione di drenaggio massima di 20 V consente una commutazione sicura a bassa tensione
• L'RDS(on) di 600 mΩ riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento
• La carica di gate tipica di 0,32 nC garantisce una commutazione rapida e a basso consumo energetico
• La corrente di drenaggio continua di 950 mA supporta correnti di carico modeste
• La dissipazione di potenza di 500 mW consente un funzionamento prolungato sotto carico
• La qualifica AEC‐Q101 si adatta ai test dell'elettronica automobilistica
• L'RDS(on) di 600 mΩ riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento
• La carica di gate tipica di 0,32 nC garantisce una commutazione rapida e a basso consumo energetico
• La corrente di drenaggio continua di 950 mA supporta correnti di carico modeste
• La dissipazione di potenza di 500 mW consente un funzionamento prolungato sotto carico
• La qualifica AEC‐Q101 si adatta ai test dell'elettronica automobilistica
Applicazioni
• Adatto per la commutazione della guida di alimentazione nei moduli automobilistici
• Ideale per la commutazione del carico nelle unità di controllo della carrozzeria
• Utilizzato per driver gate e stadi di potenza sul lato secondario
• Può essere utilizzato per la gestione compatta dell'alimentazione in progetti SMD onnipresenti
• Adatto per la commutazione a doppio canale nelle interfacce dei sensori
• Ideale per la commutazione del carico nelle unità di controllo della carrozzeria
• Utilizzato per driver gate e stadi di potenza sul lato secondario
• Può essere utilizzato per la gestione compatta dell'alimentazione in progetti SMD onnipresenti
• Adatto per la commutazione a doppio canale nelle interfacce dei sensori
Quali sono i limiti dell'azionamento del gate da rispettare per un funzionamento sicuro?
Il dispositivo accetta tensioni gate-source fino a un massimo di 12 V
i circuiti di azionamento rimangono entro questo limite per evitare la sollecitazione dell'ossido di gate.
In che modo il campo termico influisce sul posizionamento nei progetti?
Funziona tra -55 °C e 150 °C, consentendo il posizionamento vicino ai componenti che generano calore, ma richiedendo comunque considerazioni termiche per l'area di rame del circuito stampato e il flusso d'aria per gestire una dissipazione di 500 mW.
Quanti elementi discreti sono forniti sulla matrice?
Il chip contiene due elementi, utili quando sono necessari canali di commutazione accoppiati in un unico pacchetto.
Quali sono i vincoli fisici dell'imballaggio che influenzano il layout del circuito stampato?
Il componente viene fornito in un contenitore SC-88 con sei pin, pertanto la pianificazione dell'ingombro deve adattarsi al piccolo array di pin SMD e allo spazio per i filetti di saldatura.
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