2 MOSFET Infineon Tipo isolato, canale Tipo N, 4 Ω, 300 mA 60 V, SC-88, Superficie Miglioramento, 6 Pin

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Codice RS:
827-0002
Codice costruttore:
2N7002DWH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

300mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

SC-88

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

500mW

Tensione diretta Vf

0.96V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.4nC

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

2mm

Larghezza

1.25 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

0.8mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET doppia potenza Infineon OptiMOS™


Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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