2 MOSFET Infineon Tipo isolato, canale N, 4 Ω, 300 mA 60 V, SC-88, Superficie Miglioramento, 6 Pin
- Codice RS:
- 827-0002
- Codice costruttore:
- 2N7002DWH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 827-0002
- Codice costruttore:
- 2N7002DWH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 300mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | SC-88 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 500mW | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 0.4nC | |
| Tensione diretta Vf | 960mV | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -20V, +20V | |
| Configurazione transistor | Tipo isolato | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 800μm | |
| Lunghezza | 2mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 1.25mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 300mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package SC-88 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 500mW | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 0.4nC | ||
Tensione diretta Vf 960mV | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V | ||
Configurazione transistor Tipo isolato | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 800μm | ||
Lunghezza 2mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 1.25mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET Infineon serie OptiMOS, tensione drain source 60 V, resistenza drain source 4 Ω - 2N7002DWH6327XTSA1
Questo MOSFET è un transistor a canale N a montaggio superficiale progettato per la commutazione a bassa potenza in assemblaggi limitati. Funziona in modalità di potenziamento e combina due elementi su un singolo chip per fornire una commutazione compatta a doppia matrice adatta per ambienti automobilistici e industriali. Il dispositivo è progettato per applicazioni a livello di scheda che richiedono una gestione della corrente modesta e una resistenza controllata.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale di drenaggio di 60 V consente applicazioni di commutazione a tensione più elevata
• Rds massimo di 4 Ω riduce le perdite di conduzione durante lo stato attivo
• La corrente di drenaggio continua di 300 mA supporta carichi a bassa corrente
• La carica gate tipica di 0,4 nC consente una commutazione rapida ed efficiente
• La dissipazione di potenza di 500 mW è adatta a progetti a bassa potenza e termicamente limitati
• L'intervallo di funzionamento da -55 °C a 150 °C garantisce resistenza termica
• Rds massimo di 4 Ω riduce le perdite di conduzione durante lo stato attivo
• La corrente di drenaggio continua di 300 mA supporta carichi a bassa corrente
• La carica gate tipica di 0,4 nC consente una commutazione rapida ed efficiente
• La dissipazione di potenza di 500 mW è adatta a progetti a bassa potenza e termicamente limitati
• L'intervallo di funzionamento da -55 °C a 150 °C garantisce resistenza termica
Applicazioni
• Adatto per la commutazione del carico controllata da un microcontrollore
• Ideale per l'interfacciamento di sensori nei sistemi automobilistici
• Utilizzato con circuiti di bilanciamento della gestione della batteria
• Può essere utilizzato per piccole attività di sostituzione dei relè
• Adatto per il controllo del percorso di alimentazione SMD compatto
• Ideale per l'interfacciamento di sensori nei sistemi automobilistici
• Utilizzato con circuiti di bilanciamento della gestione della batteria
• Può essere utilizzato per piccole attività di sostituzione dei relè
• Adatto per il controllo del percorso di alimentazione SMD compatto
Quale contenitore e numero di pin devo preparare per il layout del circuito stampato?
Il dispositivo viene fornito in un piccolo contenitore a montaggio superficiale SC-88 con sei pin, pertanto i tamponi e il termoresistenza devono corrispondere all'ingombro di SC-88.
In che modo il chip a doppio elemento influisce sul funzionamento in parallelo?
Due elementi sulla stessa matrice consentono una disposizione compatta a doppio canale senza accoppiamento esterno, ma i limiti termici totali rimangono per contenitore.
Quali limiti di tensione di gate e di drenaggio devono essere rispettati?
La tensione gate-sorgente non deve superare ±20 V mentre il limite di tensione drain-sorgente è di 60 V per evitare lo stress del dispositivo.
Quale tensione diretta si può prevedere durante la conduzione?
La misurazione della tensione diretta di circa 0,96 V si applica in condizioni di prova specifiche per i percorsi di conduzione pertinenti.
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