MOSFET Infineon, canale N, 4 Ω, 300 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

Codice RS:: 827-0002
Codice costruttore:: 2N7002DWH6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 4 Ω, 300 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 827-0002
Codice costruttore:: 2N7002DWH6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

2N7002DW OptiMOS Small-Signal-Transistor Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	300 mA
Tensione massima drain source	60 V
Serie	OptiMOS™
Tipo di package	SOT-363
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	4 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.5V
Tensione di soglia gate minima	1.5V
Dissipazione di potenza massima	500 mW
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	1.25mm
Carica gate tipica @ Vgs	0,4 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	2
Lunghezza	2mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	0.8mm

MOSFET Infineon, canale N, 4 Ω, 300 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

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MOSFET doppia potenza Infineon OptiMOS™

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