2 MOSFET Infineon Tipo isolato, canale N, 600 mΩ, 950 mA 20 V, SC-88, Superficie Miglioramento, 6 Pin

Codice RS:: 827-0115
Codice costruttore:: BSD235NH6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

2 MOSFET Infineon Tipo isolato, canale N, 600 mΩ, 950 mA 20 V, SC-88, Superficie Miglioramento, 6 Pin

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Codice RS:: 827-0115
Codice costruttore:: BSD235NH6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	950mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	20V
	Serie	OptiMOS 2
	Tipo di package	SC-88
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	600mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-12V, +12V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	0.32nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	500mW
	Tensione diretta Vf	900mV
	Configurazione transistor	Tipo isolato
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	2mm
	Altezza	800μm
	Larghezza	1.25mm
	Standard/Approvazioni	No
	Numero elementi per chip	2
	Standard automobilistico	AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 950mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V
	Serie OptiMOS 2
	Tipo di package SC-88
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 600mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -12V, +12V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 0.32nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 500mW
	Tensione diretta Vf 900mV
	Configurazione transistor Tipo isolato
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 2mm
	Altezza 800μm
	Larghezza 1.25mm
	Standard/Approvazioni No
	Numero elementi per chip 2
	Standard automobilistico AEC-Q101

MOSFET Infineon OptiMOS serie 2, tensione massima della sorgente di drenaggio 20 V, resistenza massima della sorgente di drenaggio 600 mΩ - BSD235NH6327XTSA1

Questo MOSFET è un transistor compatto a canale N a montaggio superficiale progettato per attività di commutazione e gestione dell'alimentazione in ambienti automobilistici e industriali. Funziona come un dispositivo in modalità di potenziamento con una configurazione a transistor isolato ed è progettato per applicazioni che richiedono una commutazione a bassa carica di gate e una resistenza termica a temperature elevate.

Caratteristiche e vantaggi:

• La tensione di drenaggio massima di 20 V consente una commutazione sicura a bassa tensione
• L'RDS(on) di 600 mΩ riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento
• La carica di gate tipica di 0,32 nC garantisce una commutazione rapida e a basso consumo energetico
• La corrente di drenaggio continua di 950 mA supporta correnti di carico modeste
• La dissipazione di potenza di 500 mW consente un funzionamento prolungato sotto carico
• La qualifica AEC‐Q101 si adatta ai test dell'elettronica automobilistica

Applicazioni

• Adatto per la commutazione della guida di alimentazione nei moduli automobilistici
• Ideale per la commutazione del carico nelle unità di controllo della carrozzeria
• Utilizzato per driver gate e stadi di potenza sul lato secondario
• Può essere utilizzato per la gestione compatta dell'alimentazione in progetti SMD onnipresenti
• Adatto per la commutazione a doppio canale nelle interfacce dei sensori

Quali sono i limiti dell'azionamento del gate da rispettare per un funzionamento sicuro?

Il dispositivo accetta tensioni gate-source fino a un massimo di 12 V

i circuiti di azionamento rimangono entro questo limite per evitare la sollecitazione dell'ossido di gate.

In che modo il campo termico influisce sul posizionamento nei progetti?

Funziona tra -55 °C e 150 °C, consentendo il posizionamento vicino ai componenti che generano calore, ma richiedendo comunque considerazioni termiche per l'area di rame del circuito stampato e il flusso d'aria per gestire una dissipazione di 500 mW.

Quanti elementi discreti sono forniti sulla matrice?

Il chip contiene due elementi, utili quando sono necessari canali di commutazione accoppiati in un unico pacchetto.

Quali sono i vincoli fisici dell'imballaggio che influenzano il layout del circuito stampato?

Il componente viene fornito in un contenitore SC-88 con sei pin, pertanto la pianificazione dell'ingombro deve adattarsi al piccolo array di pin SMD e allo spazio per i filetti di saldatura.