MOSFET onsemi, canale N, P, 2,5 Ω, 500 mΩ, 250 mA, 880 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

Codice RS:: 780-0614
Codice costruttore:: NTJD4158CT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, P, 2,5 Ω, 500 mΩ, 250 mA, 880 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

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100 - 225	0,132 €	3,30 €
250 - 475	0,115 €	2,875 €
500 - 975	0,101 €	2,525 €
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Codice RS:: 780-0614
Codice costruttore:: NTJD4158CT1G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N, P
Corrente massima continuativa di drain	250 mA, 880 mA
Tensione massima drain source	20 V, 30 V
Tipo di package	SOT-363
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	2,5 Ω, 500 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.5V
Dissipazione di potenza massima	270 mW
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-20 V, -12 V, +12 V, +20 V
Lunghezza	2.2mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	0,9 nC a 5 V, 2,2 nC a 4,5 V
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	2
Larghezza	1.35mm
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, P, 2,5 Ω, 500 mΩ, 250 mA, 880 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale doppio N/P, ON Semiconductor

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