Codice costruttore

2 MOSFET onsemi Tipo isolato, canale Tipo N, Tipo P, 500 mΩ, 880 mA 30 V, SC-88, Superficie Miglioramento, 6 Pin

Codice RS:: 780-0614
Codice costruttore:: NTJD4158CT1G
Costruttore:: onsemi

2 MOSFET onsemi Tipo isolato, canale Tipo N, Tipo P, 500 mΩ, 880 mA 30 V, SC-88, Superficie Miglioramento, 6 Pin

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100 - 225	0,212 €	5,30 €
250 - 475	0,184 €	4,60 €
500 - 975	0,162 €	4,05 €
1000 +	0,147 €	3,68 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 780-0614
Codice costruttore:: NTJD4158CT1G
Costruttore:: onsemi

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N, Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id	880mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	30V
	Tipo di package	SC-88
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	500mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	0.65V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	0.9nC
	Minima temperatura operativa	150°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	270mW
	Configurazione transistor	Tipo isolato
	Temperatura massima di funzionamento	-55°C
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	2.2mm
	Altezza	1mm
	Numero elementi per chip	2
	Standard automobilistico	AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N, Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id 880mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V
	Tipo di package SC-88
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 500mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 0.65V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 0.9nC
	Minima temperatura operativa 150°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 270mW
	Configurazione transistor Tipo isolato
	Temperatura massima di funzionamento -55°C
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 2.2mm
	Altezza 1mm
	Numero elementi per chip 2
	Standard automobilistico AEC-Q101

MOSFET a canale doppio N/P, ON Semiconductor

NTJD1155L è un MOSFET a doppio canale. Caratterizzato sia da P che da N-channel in un unico package, questo MOSFET è brillante per un segnale di controllo basso, basse tensioni di batteria e correnti di carico elevate. Il canale N è dotato di protezione ESD interna e può essere pilotato da segnali logici fino a 1,5 V, mentre il canale P è progettato per essere utilizzato su applicazioni di commutazione del carico. Il canale P è progettato anche con la tecnologia trench di ON semi.

Transistor MOSFET, ON Semiconductor

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