MOSFET onsemi, canale P, 1 Ω, 880 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

Codice RS:: 163-1117
Codice costruttore:: NTJD4152PT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale P, 1 Ω, 880 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,115 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,115 €	345,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 163-1117
Codice costruttore:: NTJD4152PT1G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	880 mA
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-363
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	1 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	350 mW
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Larghezza	1.35mm
Numero di elementi per chip	2
Carica gate tipica @ Vgs	2,2 nC a 4,5 V
Lunghezza	2.2mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale P, 1 Ω, 880 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale doppio P, ON Semiconductor

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