2 MOSFET onsemi Tipo isolato, canale Tipo N, 400 mΩ, 750 mA 30 V, US, Superficie Miglioramento, 6 Pin FDG8850NZ
- Codice RS:
- 671-0362
- Codice costruttore:
- FDG8850NZ
- Costruttore:
- onsemi
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,432 € | 4,32 € |
| 100 - 240 | 0,372 € | 3,72 € |
| 250 - 490 | 0,322 € | 3,22 € |
| 500 - 990 | 0,283 € | 2,83 € |
| 1000 + | 0,258 € | 2,58 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 671-0362
- Codice costruttore:
- FDG8850NZ
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 750mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | US | |
| Serie | PowerTrench | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 400mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 12, -12V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Tipo isolato | |
| Lunghezza | 2mm | |
| Larghezza | 1.25mm | |
| Altezza | 1mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 750mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package US | ||
Serie PowerTrench | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 400mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 12, -12V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Tipo isolato | ||
Lunghezza 2mm | ||
Larghezza 1.25mm | ||
Altezza 1mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
MOSFET a doppio canale N PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
I MOSFET ON PowerTrench® di Semis sono interruttori di potenza ottimizzati che offrono una maggiore efficienza del sistema e una maggiore densità di potenza. Combina una carica di gate ridotta, un piccolo recupero inverso e un diodo del corpo a recupero inverso morbido per contribuire alla commutazione rapida della rettifica sincrona negli alimentatori CA/CC.
Le prestazioni del diodo a corpo morbido dei MOSFET PowerTrench® sono in grado di eliminare il circuito snubber o di sostituire un MOSFET a tensione nominale più elevata.
Transistor MOSFET, ON Semi
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I MOSFET semi-ON forniscono un'affidabilità di progettazione superiore, dai picchi di tensione ridotti e dall'eccesso di sovratensione, alla capacità di giunzione più bassa e alla carica di recupero inverso, all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi in funzione e funzionanti più a lungo.
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