2 MOSFET onsemi Tipo isolato, canale Tipo N, 770 mΩ, 500 mA 25 V, US, Superficie Miglioramento, 6 Pin
- Codice RS:
- 178-7601
- Codice costruttore:
- FDG6303N
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
348,00 €
(IVA esclusa)
426,00 €
(IVA inclusa)
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,116 € | 348,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 178-7601
- Codice costruttore:
- FDG6303N
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 500mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 25V | |
| Tipo di package | US | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 770mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 1.64nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 300mW | |
| Tensione diretta Vf | 0.8V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Tipo isolato | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1mm | |
| Lunghezza | 2mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 500mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 25V | ||
Tipo di package US | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 770mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 1.64nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 300mW | ||
Tensione diretta Vf 0.8V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Tipo isolato | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1mm | ||
Lunghezza 2mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET doppio in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor
I transistor a effetto di campo in modalità potenziata vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare brevettata Fairchild. Questo processo ad altissima densità è stato ideato per ridurre al minimo le resistenza in stato attivo e garantisce prestazioni solide e affidabili nonché una commutazione rapida.
Transistor MOSFET, ON Semi
Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
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