2 MOSFET onsemi Tipo isolato, canale Tipo P, 1 Ω, 880 mA 20 V, US, Superficie Miglioramento, 6 Pin NTJD4152PT1G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
780-0611
Codice costruttore:
NTJD4152PT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

880mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

US

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

350mW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±12 V

Tensione diretta Vf

-0.8V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

2.2nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Larghezza

1.35 mm

Lunghezza

2.2mm

Altezza

1mm

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET a canale doppio P, ON Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semiconductor


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