MOSFET onsemi, canale N, P, 442 mΩ, 700 mΩ, 600 mA, 700 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

Codice RS:: 761-9847
Codice costruttore:: FDG6332C
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, P, 442 mΩ, 700 mΩ, 600 mA, 700 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

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Unità	Per unità	Per confezione**
10 - 90	0,367 €	3,67 €
100 - 240	0,316 €	3,16 €
250 - 490	0,274 €	2,74 €
500 - 990	0,241 €	2,41 €
1000 +	0,219 €	2,19 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 761-9847
Codice costruttore:: FDG6332C
Costruttore:: onsemi

FDG6332C, 20V N & P-Channel PowerTrench™ MOSFETs
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N, P
Corrente massima continuativa di drain	600 mA, 700 mA
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-363
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	442 mΩ, 700 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.3V
Dissipazione di potenza massima	300 mW
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Numero di elementi per chip	2
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	1,1 nC a 4,5 V, 1,4 nC a 4,5 V
Lunghezza	2mm
Larghezza	1.25mm
Materiale del transistor	Si
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, P, 442 mΩ, 700 mΩ, 600 mA, 700 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

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MOSFET doppio a canale N per uso automobilistico, Fairchild Semiconductor

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