MOSFET onsemi, canale P, 1,2 Ω, 500 mA, SOT-363 (SC-70), Montaggio superficiale

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Codice RS:
166-2945
Codice costruttore:
FDG6318P
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

500 mA

Tensione massima drain source

20 V

Serie

PowerTrench

Tipo di package

SOT-363 (SC-70)

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

6

Resistenza massima drain source

1,2 Ω

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

0.65V

Dissipazione di potenza massima

300 mW

Configurazione transistor

Isolato

Tensione massima gate source

-12 V, +12 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Numero di elementi per chip

2

Materiale del transistor

Si

Lunghezza

2mm

Larghezza

1.25mm

Carica gate tipica @ Vgs

0,86 nC a 4,5 V

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

1mm

FET digitali, Fairchild Semiconductor



Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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