MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 1,5 Ω, 750 mΩ, 1 A, 840 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

Codice RS:: 122-0207
Codice costruttore:: DMG1016UDW-7
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 1,5 Ω, 750 mΩ, 1 A, 840 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 122-0207
Codice costruttore:: DMG1016UDW-7
Costruttore:: DiodesZetex

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N, P
Corrente massima continuativa di drain	1 A, 840 mA
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-363
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	1,5 Ω, 750 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1V
Dissipazione di potenza massima	330 mW
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-6 V, +6 V
Numero di elementi per chip	2
Carica gate tipica @ Vgs	0,62 nC a 4,5 V, 0,74 nC a 4,5 V
Larghezza	1.35mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	2.2mm
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 1,5 Ω, 750 mΩ, 1 A, 840 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

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MOSFET doppio a canale N/P, Diodes Inc.

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