MOSFET Infineon, canale N, 8,6 mΩ, 97 A, TO-220, Su foro

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Codice RS:
130-0935
Codice costruttore:
IRF100B202
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

97 A

Tensione massima drain source

100 V

Tipo di package

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

8,6 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4V

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

221 W

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Massima temperatura operativa

+175 °C

Larghezza

4.83mm

Numero di elementi per chip

1

Lunghezza

10.67mm

Carica gate tipica @ Vgs

77 nC a 10 V

Altezza

16.51mm

Minima temperatura operativa

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Tensione diretta del diodo

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