MOSFET Infineon, canale P, 32 mΩ, 8 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 130-0970
Codice costruttore:: IRF9362TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale P, 32 mΩ, 8 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 130-0970
Codice costruttore:: IRF9362TRPBF
Costruttore:: Infineon

IRF9362PbF, Dual HEXFET Power MOSFET P-Channel -30V
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	8 A
Tensione massima drain source	30 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	32 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.4V
Tensione di soglia gate minima	1.3V
Dissipazione di potenza massima	2 W
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	2
Lunghezza	5mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	26 nC a 15 V
Larghezza	4mm
Altezza	1.5mm
Tensione diretta del diodo	1.2V
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale P, 32 mΩ, 8 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N da 30 V, Infineon

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