MOSFET Infineon, canale P, 32 mΩ, 8 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 130-0970
Codice costruttore:: IRF9362TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale P, 32 mΩ, 8 A, SOIC, Montaggio superficiale

Prezzo per 1pz in confezione da 25

0,242 €

(IVA esclusa)

0,295 €

(IVA inclusa)

4000 Disponibile per la consegna entro 2 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Unità	Per unità	Per confezione**
25 +	0,242 €	6,05 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 130-0970
Codice costruttore:: IRF9362TRPBF
Costruttore:: Infineon

IRF9362PbF, Dual HEXFET Power MOSFET P-Channel -30V
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	8 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOIC
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	32 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.4V
Tensione di soglia gate minima	1.3V
Dissipazione di potenza massima	2 W
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	5mm
Numero di elementi per chip	2
Larghezza	4mm
Carica gate tipica @ Vgs	26 nC a 15 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.5mm
Tensione diretta del diodo	1.2V

MOSFET Infineon, canale P, 32 mΩ, 8 A, SOIC, Montaggio superficiale

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

MOSFET di potenza a canale N da 30 V, Infineon

Link consigliati