2 MOSFET Infineon Duale, canale Tipo P, 32 mΩ, 8 A 30 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin IRF9362TRPBF
- Codice RS:
- 130-0970
- Codice costruttore:
- IRF9362TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 confezione da 25 unità*
16,875 €
(IVA esclusa)
20,60 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Ultimi pezzi su RS
- 150 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 0,675 € | 16,88 € |
| 125 - 225 | 0,526 € | 13,15 € |
| 250 - 600 | 0,493 € | 12,33 € |
| 625 - 1225 | 0,459 € | 11,48 € |
| 1250 + | 0,425 € | 10,63 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 130-0970
- Codice costruttore:
- IRF9362TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 8A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 32mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 13nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Altezza | 1.5mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 8A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package SOIC | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 32mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 13nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 5mm | ||
Altezza 1.5mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza a canale N da 30 V, Infineon
La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.
Transistor MOSFET, Infineon
Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.
