MOSFET Infineon, canale N, 23 mΩ, 8,1 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 168-6026
Codice costruttore:: IRL6372TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 23 mΩ, 8,1 A, SOIC, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 4000)**

0,244 €

(IVA esclusa)

0,298 €

(IVA inclusa)

15575 Disponibile per la consegna entro 3 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Unità	Per unità	Per bobina**
4000 +	0,244 €	976,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 168-6026
Codice costruttore:: IRL6372TRPBF
Costruttore:: Infineon

IRL6372PbF, Dual HEXFET Power MOSFET 30V
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	8,1 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOIC
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	23 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.1V
Tensione di soglia gate minima	0.5V
Dissipazione di potenza massima	2 W
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Numero di elementi per chip	2
Larghezza	4mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	11 nC a 15 V
Lunghezza	5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.2V
Altezza	1.5mm

MOSFET Infineon, canale N, 23 mΩ, 8,1 A, SOIC, Montaggio superficiale

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

MOSFET di potenza a canale N da 30 V, Infineon

Link consigliati