2 MOSFET Infineon Duale, canale Tipo N, 23 mΩ, 8.1 A 30 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Codice RS:
168-6026
Codice costruttore:
IRL6372TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

8.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

HEXFET

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

23mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

11nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Duale

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.5mm

Larghezza

4 mm

Lunghezza

5mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N da 30 V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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