2 MOSFET Infineon Duale, canale Tipo N, 23 mΩ, 8.1 A 30 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin IRL6372TRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
130-1013
Codice Distrelec:
304-36-992
Codice costruttore:
IRL6372TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

8.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOIC

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

23mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

11nC

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.5mm

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N da 30 V, Infineon


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