MOSFET Infineon, canale N, 1,35 mΩ, 100 A, SuperSO8 5 x 6, Montaggio superficiale

Codice RS:: 133-9881
Codice costruttore:: BSC009NE2LS5IATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 1,35 mΩ, 100 A, SuperSO8 5 x 6, Montaggio superficiale

Prezzo per 1pz in confezione da 5

2,192 €

(IVA esclusa)

2,674 €

(IVA inclusa)

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Unità	Per unità	Per confezione*
5 - 20	2,192 €	10,96 €
25 - 45	1,952 €	9,76 €
50 - 120	1,818 €	9,09 €
125 - 245	1,71 €	8,55 €
250 +	1,578 €	7,89 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 133-9881
Codice costruttore:: BSC009NE2LS5IATMA1
Costruttore:: Infineon

BSC009NE2LS5I OptiMOS5 Power-MOSFET 25V
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	100 A
Tensione massima drain source	25 V
Tipo di package	SuperSO8 5 x 6
Serie	OptiMOS™ 5
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	1,35 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Tensione di soglia gate minima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	74 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	+16 V
Carica gate tipica @ Vgs	36 nC a 10 V
Lunghezza	5.49mm
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	6.35mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	1.1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	0.62V

MOSFET Infineon, canale N, 1,35 mΩ, 100 A, SuperSO8 5 x 6, Montaggio superficiale

MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™5

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