MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 60 V, 0.95 mΩ Miglioramento, 363 A, 7 Pin, TO-263, Superficie IRF60SC241ARMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
220-7472
Codice costruttore:
IRF60SC241ARMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Massima corrente di scarico continua Id

363A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

StrongIRFET

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.95mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

2.4W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

311nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.2mm

Altezza

4.4mm

Larghezza

9.45 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

I più recenti dispositivi MOSFET di potenza Infineon strong IRFET da 60 V sono ottimizzati per correnti elevate e bassa RDS(on), il che li rende la soluzione ideale per applicazioni con alimentazione a batteria a corrente elevata.

Bassa resistenza RDS(on)

Capacità di corrente elevata

Involucro standard industriale

Piedini di uscita flessibili

Ottimizzato per stadio pilota da 10 V.

Riduzione delle perdite di conduzione

Densità di potenza aumentata

Sostituzione drop-in per i dispositivi esistenti

Offre flessibilità di progettazione

Garantisce l'immunità al falso accensione in ambienti rumorosi

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