MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 60 V, 0.95 mΩ Miglioramento, 363 A, 7 Pin, TO-263, Superficie IRF60SC241ARMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
220-7472
Codice costruttore:
IRF60SC241ARMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

363A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-263

Serie

StrongIRFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.95mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

311nC

Dissipazione di potenza massima Pd

2.4W

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

4.4mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.2mm

Standard automobilistico

No

I più recenti dispositivi MOSFET di potenza Infineon strong IRFET da 60 V sono ottimizzati per correnti elevate e bassa RDS(on), il che li rende la soluzione ideale per applicazioni con alimentazione a batteria a corrente elevata.

Bassa resistenza RDS(on)

Capacità di corrente elevata

Involucro standard industriale

Piedini di uscita flessibili

Ottimizzato per stadio pilota da 10 V.

Riduzione delle perdite di conduzione

Densità di potenza aumentata

Sostituzione drop-in per i dispositivi esistenti

Offre flessibilità di progettazione

Garantisce l'immunità al falso accensione in ambienti rumorosi

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