Transistor MOSFET + diodo Infineon, canale N, 0,00095 O, 363 A, TO-263-7, Montaggio superficiale

I più recenti dispositivi MOSFET di potenza Infineon strong IRFET da 60 V sono ottimizzati per correnti elevate e bassa RDS(on), il che li rende la soluzione ideale per applicazioni con alimentazione a batteria a corrente elevata.

Bassa resistenza RDS(on)
Capacità di corrente elevata
Involucro standard industriale
Piedini di uscita flessibili
Ottimizzato per stadio pilota da 10 V.
Riduzione delle perdite di conduzione
Densità di potenza aumentata
Sostituzione drop-in per i dispositivi esistenti
Offre flessibilità di progettazione
Garantisce l'immunità al falso accensione in ambienti rumorosi