MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 60 V, 0.95 mΩ Miglioramento, 363 A, 7 Pin, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 220-7471
- Codice costruttore:
- IRF60SC241ARMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 800 unità*
1664,80 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 800 + | 2,081 € | 1.664,80 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 220-7471
- Codice costruttore:
- IRF60SC241ARMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET e diodo | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 363A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | StrongIRFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 7 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.95mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 311nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.4W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 4.4mm | |
| Lunghezza | 10.2mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET e diodo | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 363A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie StrongIRFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 7 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.95mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 311nC | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.4W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 4.4mm | ||
Lunghezza 10.2mm | ||
Standard automobilistico No | ||
I più recenti dispositivi MOSFET di potenza Infineon strong IRFET da 60 V sono ottimizzati per correnti elevate e bassa RDS(on), il che li rende la soluzione ideale per applicazioni con alimentazione a batteria a corrente elevata.
Bassa resistenza RDS(on)
Capacità di corrente elevata
Involucro standard industriale
Piedini di uscita flessibili
Ottimizzato per stadio pilota da 10 V.
Riduzione delle perdite di conduzione
Densità di potenza aumentata
Sostituzione drop-in per i dispositivi esistenti
Offre flessibilità di progettazione
Garantisce l'immunità al falso accensione in ambienti rumorosi
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