MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 60 V, 0.95 mΩ Miglioramento, 363 A, 7 Pin, TO-263, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 800 unità*

1612,00 €

(IVA esclusa)

1966,40 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 800 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
800 +2,015 €1.612,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
220-7471
Codice costruttore:
IRF60SC241ARMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

363A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

StrongIRFET

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.95mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

311nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

2.4W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

4.4mm

Larghezza

9.45 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.2mm

Standard automobilistico

No

I più recenti dispositivi MOSFET di potenza Infineon strong IRFET da 60 V sono ottimizzati per correnti elevate e bassa RDS(on), il che li rende la soluzione ideale per applicazioni con alimentazione a batteria a corrente elevata.

Bassa resistenza RDS(on)

Capacità di corrente elevata

Involucro standard industriale

Piedini di uscita flessibili

Ottimizzato per stadio pilota da 10 V.

Riduzione delle perdite di conduzione

Densità di potenza aumentata

Sostituzione drop-in per i dispositivi esistenti

Offre flessibilità di progettazione

Garantisce l'immunità al falso accensione in ambienti rumorosi

Link consigliati