MOSFET onsemi, canale N, 12,8 mΩ, 49 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 141-2079
Codice costruttore:: NVD5C668NLT4G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 12,8 mΩ, 49 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)**

0,682 €

(IVA esclusa)

0,832 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
2500 +	0,682 €	1.705,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 141-2079
Codice costruttore:: NVD5C668NLT4G
Costruttore:: onsemi

NVD5C668NL Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	49 A
Tensione massima drain source	60 V
Serie	NVD5C668NL
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	12,8 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.1V
Tensione di soglia gate minima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	44 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+175 °C
Lunghezza	6.73mm
Larghezza	6.22mm
Carica gate tipica @ Vgs	18,7 nC a 10 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	2.38mm
Standard per uso automobilistico	AEC-Q101
Tensione diretta del diodo	1.2V

MOSFET onsemi, canale N, 12,8 mΩ, 49 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N, 60V, ON Semiconductor

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