MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 12.8 mΩ Miglioramento, 51 A, 8 Pin, PQFN, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

1923,00 €

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2346,00 €

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Codice RS:
146-3370
Codice costruttore:
FDMS86183
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

51A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

PQFN

Serie

PowerTrench

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

12.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

63W

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5mm

Altezza

1.05mm

Larghezza

5.85 mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N, da 100 V a 1700 V, ON Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semiconductor


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