MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 12.8 mΩ Miglioramento, 51 A, 8 Pin, PQFN, Superficie FDMS86183

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
146-4116
Codice costruttore:
FDMS86183
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

51A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

PowerTrench

Tipo di package

PQFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

12.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

63W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.05mm

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

5.85mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N, da 100 V a 1700 V, ON Semiconductor


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