MOSFET onsemi, canale N, 12,8 mΩ, 51 A, PQFN8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 146-4116
Codice costruttore:: FDMS86183
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 12,8 mΩ, 51 A, PQFN8, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 146-4116
Codice costruttore:: FDMS86183
Costruttore:: onsemi

FDMS86183, N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100V
Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	51 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	PQFN8
Serie	PowerTrench
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	12,8 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	63 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	5.85mm
Carica gate tipica @ Vgs	15 nC a 10 V
Lunghezza	5mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	1.05mm
Tensione diretta del diodo	1.3V
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 12,8 mΩ, 51 A, PQFN8, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N, da 100 V a 1700 V, ON Semiconductor

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