MOSFET onsemi, canale Tipo N 60 V, 40 mΩ Miglioramento, 17 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

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Codice RS:
141-2081
Codice costruttore:
NVD5C688NLT4G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

17A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-252

Serie

NVD5C688NL-D

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

40mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Dissipazione di potenza massima Pd

18W

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

6.22 mm

Lunghezza

6.73mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.38mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET di potenza a canale N, 60V, ON Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semiconductor


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