MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo P 100 V, 0.3 Ω Miglioramento, 12 A, 3 Pin, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 145-1593
- Codice costruttore:
- IRF9530SPBF
- Costruttore:
- Vishay
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 tubo da 50 unità*
81,05 €
(IVA esclusa)
98,90 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Ultimi pezzi su RS
- 450 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,621 € | 81,05 € |
| 100 - 200 | 1,378 € | 68,90 € |
| 250 + | 1,296 € | 64,80 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 145-1593
- Codice costruttore:
- IRF9530SPBF
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 12A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Serie | IRF9530S | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.3Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 88W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 38nC | |
| Tensione diretta Vf | -100V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 9.02 mm | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Altezza | 4.83mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 12A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Serie IRF9530S | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.3Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 88W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 38nC | ||
Tensione diretta Vf -100V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 9.02 mm | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Altezza 4.83mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET canale P, da 100V a 400V, Vishay Semiconductor
Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor
Link consigliati
- MOSFET Vishay 300 mΩ D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon 23 mΩ D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon 20 mΩ D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon 10 80 A Montaggio superficiale
- MOSFET Vishay 200 mΩ D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
- MOSFET Vishay 500 mΩ8 A Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon 60 mΩ D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 470 mΩ5 A Montaggio superficiale
