MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo P 100 V, 0.3 Ω Miglioramento, 12 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IRF9530SPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
650-4176
Codice costruttore:
IRF9530SPBF
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-263

Serie

IRF9530S

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.3Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

38nC

Dissipazione di potenza massima Pd

88W

Tensione diretta Vf

-100V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

9.02 mm

Standard/Approvazioni

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Altezza

4.83mm

Lunghezza

10.67mm

Standard automobilistico

No

MOSFET canale P, da 100V a 400V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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