MOSFET Infineon, canale Tipo P 100 V, 60 mΩ Miglioramento, 38 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IRF5210STRLPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
831-2825
Codice costruttore:
IRF5210STRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

38A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

60mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

170W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

150nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1.6V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

9.65 mm

Lunghezza

10.67mm

Altezza

4.83mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Distrelec Product Id

304-44-445

MOSFET di potenza a canale P da 100 V a 150 V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza discreti HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminazioni e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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