MOSFET Infineon, canale Tipo P 100 V, 60 mΩ Miglioramento, 38 A, 3 Pin, TO-263, Superficie AUIRF5210STRL

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
218-2972
Codice costruttore:
AUIRF5210STRL
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

38A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

60mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

150nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1.6V

Dissipazione di potenza massima Pd

3.1W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

10.67mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

9.65 mm

Altezza

4.83mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET per uso automobilistico a canale P Infineon. È stato progettato specificamente per le applicazioni automobilistiche. Questo design cellulare dei MOSFET di potenza HEXFET® utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una bassa resistenza all'accensione per area di silicio.

Avanzata tecnologia di processo

MOSFET a canale P

Resistenza ultra bassa in stato attivo

Valori nominali dinamici dv/dt

Commutazione rapida

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