MOSFET Infineon, canale N, 15,4 mΩ, 80 A, I2PAK (TO-262), Su foro

Codice RS:: 145-9306
Codice costruttore:: IPI086N10N3GXKSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 15,4 mΩ, 80 A, I2PAK (TO-262), Su foro

Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)

1,346 €

(IVA esclusa)

1,642 €

(IVA inclusa)

1350 Disponibile per la consegna entro 4 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Unità	Per unità	Per stecca**
50 +	1,346 €	67,30 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 145-9306
Codice costruttore:: IPI086N10N3GXKSA1
Costruttore:: Infineon

IPP086N10N3 G, IPI086N10N3 G, IPB083N10N3 G, IPD082N10N3 G, OptiMOS3 Power-Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	80 A
Tensione massima drain source	100 V
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo di package	I2PAK (TO-262)
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	15,4 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.5V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	125 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	4.572mm
Carica gate tipica @ Vgs	42 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	10.36mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.2V
Altezza	11.177mm

MOSFET Infineon, canale N, 15,4 mΩ, 80 A, I2PAK (TO-262), Su foro

MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™3, 100 V e superiori

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