MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 15.4 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, A-262, Foro passante IPI086N10N3GXKSA1

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Codice RS:
145-9306
Codice costruttore:
IPI086N10N3GXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

80A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

OptiMOS 3

Tipo di package

A-262

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

15.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

42nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

11.177mm

Lunghezza

10.36mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.57 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET Infineon OptiMOS™ serie 3, corrente di scarico continua massima di 80 A, dissipazione di potenza massima di 125 W - IPI086N10N3GXKSA1


Questo MOSFET è progettato per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza ed è adatto a vari settori, tra cui l'automazione e l'elettronica. Con una corrente di drain continua di 80A e una tensione massima di drain-source di 100V, offre una soluzione affidabile ed efficiente per i sistemi elettronici.

Caratteristiche e vantaggi


• Il design a canale N ottimizza le prestazioni elettriche

• Il basso RDS(on) riduce le perdite di potenza

• L'elevata capacità di dissipazione di potenza consente di gestire applicazioni intensive

• La soglia di gate potenziata migliora l'efficienza di commutazione

• Il montaggio a foro passante consente una facile integrazione nei circuiti

Applicazioni


• Utilizzato per la commutazione ad alta frequenza negli alimentatori

• Facilita il raddrizzamento sincrono nei circuiti dei convertitori

• Adatto ai sistemi di automazione industriale che richiedono un controllo efficiente della potenza

• Applicato in vari dispositivi elettronici per una maggiore efficienza energetica

• Adatto per il settore automobilistico che richiedono prestazioni costanti

Qual è il significato del basso RDS(on) in questo dispositivo?


Il basso valore di RDS(on) riduce al minimo le perdite di energia durante la commutazione, aumentando le prestazioni complessive del sistema.

Come gestisce il MOSFET le alte temperature?


È progettato per funzionare a temperature fino a 175°C, garantendo prestazioni costanti anche in condizioni ambientali difficili.

Che tipo di montaggio richiede questo componente?


Presenta un design di montaggio a fori passanti che facilita l'integrazione immediata nei layout dei circuiti stampati esistenti.

È adatto all'uso nel raddrizzamento sincrono?


Sì, è stato progettato specificamente per un efficiente raddrizzamento sincrono nell'elettronica di potenza, favorendo il risparmio energetico complessivo.

MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™3, 100 V e superiori


Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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