MOSFET Infineon, canale N, 15,4 mΩ, 80 A, I2PAK (TO-262), Su foro

Codice RS:: 145-9306
Codice costruttore:: IPI086N10N3GXKSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 15,4 mΩ, 80 A, I2PAK (TO-262), Su foro

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Codice costruttore:: IPI086N10N3GXKSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™3, 100 V e superiori

MOSFET Infineon OptiMOS™ serie 3, corrente di scarico continua massima di 80 A, dissipazione di potenza massima di 125 W - IPI086N10N3GXKSA1

Questo MOSFET è progettato per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza ed è adatto a vari settori, tra cui l'automazione e l'elettronica. Con una corrente di drain continua di 80A e una tensione massima di drain-source di 100V, offre una soluzione affidabile ed efficiente per i sistemi elettronici.

Caratteristiche e vantaggi

• Il design a canale N ottimizza le prestazioni elettriche
• Il basso RDS(on) riduce le perdite di potenza
• L'elevata capacità di dissipazione di potenza consente di gestire applicazioni intensive
• La soglia di gate potenziata migliora l'efficienza di commutazione
• Il montaggio a foro passante consente una facile integrazione nei circuiti

Applicazioni

• Utilizzato per la commutazione ad alta frequenza negli alimentatori
• Facilita il raddrizzamento sincrono nei circuiti dei convertitori
• Adatto ai sistemi di automazione industriale che richiedono un controllo efficiente della potenza
• Applicato in vari dispositivi elettronici per una maggiore efficienza energetica
• Adatto per il settore automobilistico che richiedono prestazioni costanti

Qual è il significato del basso RDS(on) in questo dispositivo?

Il basso valore di RDS(on) riduce al minimo le perdite di energia durante la commutazione, aumentando le prestazioni complessive del sistema.

Come gestisce il MOSFET le alte temperature?

È progettato per funzionare a temperature fino a 175°C, garantendo prestazioni costanti anche in condizioni ambientali difficili.

Che tipo di montaggio richiede questo componente?

Presenta un design di montaggio a fori passanti che facilita l'integrazione immediata nei layout dei circuiti stampati esistenti.

È adatto all'uso nel raddrizzamento sincrono?

Sì, è stato progettato specificamente per un efficiente raddrizzamento sincrono nell'elettronica di potenza, favorendo il risparmio energetico complessivo.

Qual è il ruolo della tensione di soglia potenziata del gate?

La tensione di soglia di gate migliorata ottimizza le prestazioni di commutazione, consentendo un funzionamento più rapido ed efficiente nelle applicazioni di gestione dell'alimentazione.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	80 A
Tensione massima drain source	100 V
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo di package	I2PAK (TO-262)
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	15,4 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.5V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	125 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	42 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Lunghezza	10.36mm
Larghezza	4.572mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	11.177mm
Tensione diretta del diodo	1.2V