MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 6.7 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, A-262, Foro passante IPI80N06S4L07AKSA2

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-9068
Codice costruttore:
IPI80N06S4L07AKSA2
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

80A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

OptiMOS-T2

Tipo di package

A-262

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

79W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

58nC

Tensione diretta Vf

1.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

23.45mm

Lunghezza

10.2mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

La gamma Infineon di nuovi OptiMOS -T2 offre una gamma di transistor MOSFET ad alta efficienza energetica con riduzione CO2 e azionamenti elettrici. La nuova famiglia di prodotti OptiMOS -T2 amplia le famiglie esistenti di OptiMOS -T e OptiMOS. I prodotti OptiMOS sono disponibili in contenitori ad alte prestazioni per affrontare le applicazioni più impegnative, offrendo la massima flessibilità in spazi limitati. Questi prodotti Infineon sono ideati per soddisfare e superare i requisiti di rendimento energetico e di densità di potenza degli altissimi standard di regolazione della prossima generazione nelle applicazioni informatiche.

Il prodotto è certificato AEC Q101

Ha una temperatura d'esercizio di 175 °C.

Testato al 100% con effetto valanga

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