MOSFET Infineon, canale N, 15,4 mΩ, 80 A, I2PAK (TO-262), Su foro

Codice RS:: 892-2166
Codice costruttore:: IPI086N10N3GXKSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 15,4 mΩ, 80 A, I2PAK (TO-262), Su foro

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Codice RS:: 892-2166
Codice costruttore:: IPI086N10N3GXKSA1
Costruttore:: Infineon

IPP086N10N3 G, IPI086N10N3 G, IPB083N10N3 G, IPD082N10N3 G, OptiMOS3 Power-Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	80 A
Tensione massima drain source	100 V
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo di package	I2PAK (TO-262)
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	15,4 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.5V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	125 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	42 nC a 10 V
Lunghezza	10.36mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	4.572mm
Tensione diretta del diodo	1.2V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	11.177mm

MOSFET Infineon, canale N, 15,4 mΩ, 80 A, I2PAK (TO-262), Su foro

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